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N 沟道 MOSFET资讯

利用智能理想二极管实现汽车电池前端保护

简介汽车电池端子在启动、车辆保养或维修过程中可能被反接，如果对这些故障条件不能恰当处理，电子控制单元 (ECU) 中的组件就可能损坏。除此之外，正常运行期间的汽车电池电压也可能不恒定。在 EMC 标准（如 ISO 763...

汽车电池前端保护智能理想二极管 2026-05-14

SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择

01、SiC MOSFET的体二极管及其关键特性无论是平面栅还是沟槽栅，SiC MOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的，如下图所示：图1. 沟槽型--英飞凌非对称沟栅CoolSiC™ M...

英飞凌 SiC MOSFET 2026-04-30

罗姆发布第5代碳化硅MOSFET，导通电阻降低30%

据罗姆官方消息，日本半导体制造商罗姆在今年3月完成了第5代碳化硅（SiC）MOSFET的开发。新产品通过改进器件结构和优化制造工艺，在175℃结温（Tj）条件下，导通电阻较上一代产品降低了约30%。罗姆指出，这款SiC ...

罗姆第5代碳化硅 2026-04-23

600V 超结 MOSFET 面向电动汽车、开关电源及光伏逆变器应用

来源：万高半导体（Alpha & Omega Semiconductor，AOS）万高半导体（AOS）推出的 AOTL037V60DE2 型 600V MOSFET，是该公司基于 MOS E2 平台实现量产的首款器件。该...

MOSFET 太阳能逆变器 2026-04-23

SiC MOSFET的并联设计要点

SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制,常见的单管额定电流多在几十到两百安培,而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景,往往需要千安级的电流输出,单管无法满足。因此,SiC MOSF...

英飞凌 SiC MOSFET 2026-04-22

沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解

对于我国的电力电子界来说,固态变压器(SST)并非是一个全新的话题,在轨道交通、电网合环运行、大型超充站项目里都有过试点实践。受限于高成本、功率器件参数选择少、高频变压器散热瓶颈,SST曾经的商业化之路面对的挑战大于机遇...

英飞凌沟槽栅 2026-04-22

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07-16 永源微AP70H06NF-60VN-Channel增强模式MOSFET

芯美力科技|浏览：3618|回复：0| 芯美力科技 2025-07-16 11:03:43

07-15 永源微APJ14N65D-650VN-Channel增强模式MOSFET

芯美力科技|浏览：3211|回复：0| 芯美力科技 2025-07-15 15:28:08

07-04 永源微APM-AP1N50MI650VN通道增强模式MOSFET

芯美力科技|浏览：2135|回复：0| 芯美力科技 2025-07-04 09:47:18

02-10 超高压MOS在辅助电源上的应用

18752004270|浏览：1745|回复：1| xqh518 2025-02-17 19:24:26

01-05 降低MOSFET损耗同时提升EMI性能

tanfpga|浏览：1191|回复：2| Hope2022 2025-01-28 01:03:07

01-05 浅析MOSFET的UIS及雪崩能量

tanfpga|浏览：898|回复：0| tanfpga 2025-01-05 14:33:52

09-21 从原理的视角，一文彻底区分MOSMOSFETNMOSPMOSCMOS

tanfpga|浏览：649|回复：0| tanfpga 2024-09-21 10:38:32

08-31 MOSFET耗尽型和增强型两种类型原理介绍

tanfpga|浏览：558|回复：1| huan2220 2024-08-31 18:54:01

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